삼성전자, 갤럭시 탭 10.1 LTE 태블릿 PC에 IDT의 저전력 듀얼 포트 메모리 채택

핵심 혼성신호 반도체 솔루션 시장을 선도하는 아날로그 디지털 기업 IDT(www.idt.com, 한국 지사장: 이상엽)는 오늘 삼성전자가 갤럭시 탭 10.1 LTE 태블릿 PC에 자사의 저전력 듀얼 포트 메모리를 채택했다고 발표했다. 삼성전자가 IDT의 디바이스를 선택한 주요한 이유는 이 제품의 전력 소비가 극도로 적어 갤럭시 탭 10.1 LTE 태블릿 PC의 배터리 수명을 극대화할 수 있다는 점 때문이다.

IDT 70P255는 저전력 8K x16 듀얼 포트 SRAM(DPSRAM: Dual-Port Static RAM)으로, 각각의 포트는 메모리 내의 모든 위치에서 읽기와 쓰기가 동시에 가능한 비동기식 액세스 기능을 지원한다. 이를 통해 태블릿의 베이스밴드 프로세서(BP)와 애플리케이션 프로세서(AP)가 동시에 동작할 수 있게 해준다. 자동 파워다운 사양을 갖추고 있어, 메모리가 다른 디바이스에 액세스되지 않을 때에는 저전력 스탠바이 모드(평균 3.6µW)로 전환하여 전력 소비를 줄이고 배터리 수명을 늘리게 한다. IDT의 고성능 CMOS 기술을 통해 제조되는 이들 디바이스는 통상 27mW에 불과한 저전력으로 동작한다.

IDT 아날로그 및 전력 사업부의 아만 나가비(Arman Naghavi) 부사장 겸 총괄 매니저는 “세계적인 모바일 기기 공급업체인 삼성전자가 이처럼 혁신적인 제품에 IDT의 DPSRAM을 채택하게 되어 기쁘다”며 “업계를 주도하는 IDT의 저전력 메모리 제품은 높은 효율을 자랑하는 우리의 전력 관리 솔루션과 세계적인 명성의 IDT 타이밍 솔루션을 보완하여 고객들에게 완벽한 솔루션을 제공한다. 앞으로도 광범위한 혼성신호 솔루션 포트폴리오를 통해 삼성전자를 계속 지원해 나갈 수 있기를 바란다”고 밝혔다.

IDT 70Pxx 디바이스 제품군은 무선 핸드셋 및 휴대형 애플리케이션에 최적화된 두께 1mm의 100볼 및 81볼 0.5mm 피치 BGA(Ball Grid Array) 패키지로 공급된다. IDT의 듀얼 포트 메모리 제품에 대한 자세한 정보는 www.idt.com/go/AsyncDPRAM에서 확인할 수 있다.